实时热点！NCT新子团NCT WISH闪耀登场 2月21日日本出道

NCT新子团NCT WISH闪耀登场 2月21日日本出道

东京讯 (2024年6月14日) 备受期待的韩国男子偶像团体NCT的最后一支分队NCT WISH，将于2月21日在日本东京巨蛋举行出道演唱会，并于2月28日发行出道单曲《WISH》，正式进军日本市场。

NCT WISH由Sion、Riku、Yushi、Shotaro、Sungchan和Shohei六名成员组成，他们都是来自不同国家和地区、拥有着不同才能和魅力的优秀艺人。在过去的两年里，他们通过NCT各种团体活动和预告片，逐渐展现了各自的音乐实力和舞台表现力，吸引了众多粉丝的关注和期待。

此次日本出道，NCT WISH将带来全新的音乐作品和舞台表演，为日本粉丝呈现一场精彩的视听盛宴。据悉，出道单曲《WISH》是一首融合了流行、电子和嘻哈元素的歌曲，旋律动感，歌词积极向上，充满着对梦想和未来的憧憬，相信一定会受到粉丝们的喜爱。

作为NCT的最后一支分队，NCT WISH的出道也标志着NCT全球布局的进一步完善。未来，NCT WISH将在韩国、日本和全球其他地区展开积极的活动，与粉丝们见面，并为他们带来更多精彩的作品和舞台。

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三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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